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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSSOP | 包装说明： | TSSOP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.33 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-153AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDR858P | FAIRCHILD |
功能相似  |
Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI6435DQ-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SI6436DQ | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET |
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| SI6441DQ | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI6441DQ-T1 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI6441DQ-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8, FET General Purpose Small Signal |
|
| SI6443DQ | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI6443DQ-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| SI6447DQ | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI6459BDQ | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI6459BDQ-T1 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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