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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.61 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI6436DQ | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET |
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| SI6441DQ | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI6441DQ-T1 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI6441DQ-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8, FET General Purpose Small Signal |
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| SI6443DQ | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI6443DQ-E3 | VISHAY |
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Transistor |
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| SI6447DQ | VISHAY |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI6459BDQ | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI6459BDQ-T1 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI6459BDQ-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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