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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI6441DQ-T1
SI6441DQ-T1 PDF预览

SI6441DQ-T1

更新时间： 2024-11-17 21:55:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 43K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI6441DQ-T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.92Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.3 A最大漏极电流 (ID)：6.3 A
最大漏源导通电阻：0.015 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.75 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI6441DQ-T1 数据手册

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Si6441DQ  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
APPLICATIONS  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D Battery Switch  
D Load Switch  
0.015 @ V = -10 V  
-8  
GS  
-30  
0.024 @ V = -4.5 V  
-6.4  
GS  
S*  
TSSOP-8  
G
D
S
S
G
D
S
S
D
1
2
3
4
8
7
6
5
D
* Source Pins 2, 3, 6 and 7  
must be tied common.  
Si6441DQ  
Top View  
D
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si6441DQ-T1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
-30  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
-8  
-6.3  
-5.0  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
-6.4  
A
Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)  
I
-30  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
-1.6  
1.75  
1.14  
-01.0  
1.08  
0.69  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
55  
95  
38  
70  
115  
50  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72213  
S-03984—Rev. A, 19-May-03  
www.vishay.com  
1
 
12345

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与SI6441DQ-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI6441DQ-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8, FET General Purpose Small Signal
SI6443DQ VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6443DQ-E3 VISHAY

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 		Transistor
SI6447DQ VISHAY

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 		P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI6459BDQ-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI6459DQ VISHAY

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 		P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI6459DQ-T1-E3 VISHAY

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 		Transistor,
SI6463ADQ-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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