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SI6443DQ

更新时间： 2024-11-17 21:55:11

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威世 - VISHAY		/
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5页	44K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI6443DQ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI6443DQ 数据手册

Si6443DQ

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFET

APPLICATIONS

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D Battery Switch

D Load Switch

0.012 @ V

= -10 V

= -4.5 V

-8.8

-30

0.019 @ V

- 7.0

TSSOP-8

* Source Pins 2, 3, 6 and 7

must be tied common.

Si6443DQ

Top View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

"20

= 25_C

= 70_C

- 8.8

-7.2

-7.3

-5.9

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

-30

Continuous Source Current (Diode Conduction)

-1.35

1.50

1.0

-0.95

1.05

0.67

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

100

120

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72083

S-22385—Rev. A, 30-Dec-02

www.vishay.com

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