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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSSOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1.5 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI6435 | FAIRCHILD |
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30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
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| SI6435ADQ | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI6435ADQ_08 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI6435ADQ-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 4700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpos |
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| SI6435ADQ-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI6435DQ | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
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| SI6435DQ-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SI6436DQ | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET |
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| SI6441DQ | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI6441DQ-T1 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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