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SI6423DQ-T1 PDF预览

SI6423DQ-T1

更新时间： 2024-11-18 14:38:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 66K
描述
TRANSISTOR 8200 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI6423DQ-T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.12配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：12 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.2 A
最大漏极电流 (ID)：8.2 A最大漏源导通电阻：0.0085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI6423DQ-T1 数据手册

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Si6423DQ  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D Load Switch  
0.0085 @ V = -4.5 V  
GS  
-9.5  
-8.5  
-7.5  
0.0106 @ V = -2.5 V  
GS  
-12  
0.014 @ V = -1.8 V  
GS  
S*  
TSSOP-8  
G
D
S
S
G
D
S
S
D
1
2
3
4
8
7
6
5
D
* Source Pins 2, 3, 6 and 7  
must be tied common.  
Top View  
D
Ordering Information: Si6423DQ  
Si6423DQ-T1 (with Tape and Reel)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
-12  
DS  
GS  
V
V
"8  
T
= 25_C  
= 70_C  
-9.5  
-8  
-8.2  
-6.5  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)  
I
-30  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
-1.35  
1.5  
-0.95  
1.05  
0.67  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.0  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
60  
100  
35  
83  
120  
45  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72257  
S-31419—Rev. A, 07-Jul-03  
www.vishay.com  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI6423DQ-T1-E3 VISHAY

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