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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TSSOP | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI6426 | FAIRCHILD |
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20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| SI6426DQ | FAIRCHILD |
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20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| SI6433BDQ | VISHAY |
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P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI6433BDQ_08 | VISHAY |
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P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI6433BDQ-T1-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 4000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, TSSOP-8, FET Gen |
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| SI6433BDQ-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI6433DQ | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V P-Channel PowerTrench MOSFET |
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| SI6433DQ | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| SI6433DQ-E3 | VISHAY |
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Transistor |
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| SI6433DQ-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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