5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > Si4447ADY
Si4447ADY PDF预览

Si4447ADY

更新时间： 2024-11-07 14:54:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
9页 213K
描述
P-Channel 40 V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

Si4447ADY 数据手册

 浏览型号Si4447ADY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号Si4447ADY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号Si4447ADY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号Si4447ADY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号Si4447ADY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号Si4447ADY的Datasheet PDF文件第7页 
Si4447ADY  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
P-Channel 40 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
SO-8 Single  
D
5
• TrenchFET® power MOSFET  
• 100 % Rg and UIS tested  
• Material categorization:  
D
6
D
7
D
8
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
4
G
APPLICATIONS  
3
S
S
2
• Load switches, adaptor switch  
S
1
S
- Notebook PCs  
Top View  
G
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
-40  
R
DS(on) max. () at VGS = -10 V  
DS(on) max. () at VGS = -4.5 V  
0.045  
0.062  
11.8  
R
Qg typ. (nC)  
D (A) d  
D
I
-7.2  
P-Channel MOSFET  
Configuration  
Single  
ORDERING INFORMATION  
Package  
SO-8  
Lead (Pb)-free and halogen-free  
Si4447ADY-T1-GE3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
-40  
UNIT  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
-7.2  
-5.7  
Continuous drain current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
-5.5 a, b  
-4.4 a, b  
-20  
A
Pulsed drain current  
IDM  
IS  
T
C = 25 °C  
-3.5  
-2.1 a, b  
Continuous source-drain diode current  
TA = 25 °C  
Avalanche current  
IAS  
-10  
L = 0.1 mH  
Single-pulse avalanche energy  
EAS  
5
mJ  
W
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
4.2  
2.7  
Maximum power dissipation  
PD  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.5 a, b  
1.6 a, b  
-55 to +150  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, Tstg  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
Maximum junction-to-ambient a, c  
SYMBOL  
TYPICAL  
MAXIMUM  
50  
30  
UNIT  
t 10 s  
RthJA  
RthJF  
40  
24  
°C/W  
Maximum junction-to-foot  
Steady state  
Notes  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board  
b. t = 10 s  
c. Maximum under steady state conditions is 85 °C/W  
d. Based on TC = 25 °C  
S10-2767-Rev. A, 29-Nov-10  
Document Number: 67189  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与Si4447ADY相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4447DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
SI4447DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
SI4448DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 32A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
SI4448DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 32A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
SI4450DY FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI4450DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4450DYF011 FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4450DYL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4450DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

与Si4447ADY相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证