是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | QFN-20 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 1.56 |
JESD-30 代码: | S-XQCC-N20 | 长度: | 3 mm |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 20 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | HVQCCN |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
座面最大高度: | 0.9 mm | 标称供电电压: | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 电信集成电路类型: | TELECOM CIRCUIT |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | QUAD |
宽度: | 3 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
Si4455-C2A-GM | SILICON |
完全替代 |
EASY-TO-USE, LOW-CURRENT OOK/(G)FSK SUB-GHZ TRANSCEIVER, TRANSMITTER, AND RECEIVER |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4455DY | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET | |
SI4455DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- | |
Si4456DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET | |
SI4456DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
SI4456DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin SOIC N T/R | |
SI4456DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | |
SI4459ADY | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4459ADY_13 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4459ADY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 19.7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
Si4459BDY | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |