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SI4448DY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-06 19:42:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 174K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 32A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SI4448DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：12 V
最大漏极电流 (ID)：32 A最大漏源导通电阻：0.0017 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4448DY-T1-GE3 数据手册

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Si4448DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 12-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
50  
Available  
0.0017 at VGS = 4.5 V  
0.002 at VGS = 2.5 V  
0.0027 at VGS = 1.8 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
12  
46  
56 nC  
40  
APPLICATIONS  
•
POL  
•
DC/DC  
SO-8  
D
D
S
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
S
S
G
G
Top View  
S
Ordering Information:  
Si4448DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4448DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Limit  
12  
Unit  
V
8
VGS  
50  
T
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
A = 25 °C  
40  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
32b, c  
26b, c  
70  
TA = 70 °C  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
7
3b, c  
20  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
IAS  
L = 0.1 mH  
20  
7.8  
5.0  
3.5b, c  
2.2b, c  
EAS  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Symbol  
Typical  
29  
Maximum  
Unit  
RthJA  
t ≤ 10 s  
35  
16  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
13  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 80 °C/W.  
Document Number: 69653  
S09-0138-Rev. B, 02-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4450DY FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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 		Transistor
SI4451DY-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 10000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET
SI4451DY-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 10000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP

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