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SI4450DYL86Z

更新时间： 2024-09-16 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 229K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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SI4450DYL86Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4450DYL86Z 数据手册

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January 2001  
Si4450DY  
60V N-Channel PowerTrench MOSFET  
Features  
General Description  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor's advanced PowerTrench process that  
has been especially tailored to minimize on-state  
resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
• 8 A, 60 V. RDS(on) = 0.020 Ω @ VGS = 10 V  
DS(on) = 0.025 Ω @ VGS = 6 V.  
R
• Low gate charge (30nC typical).  
• Fast switching speed.  
These devices are well suited for low voltage and battery  
powered applications where low in-line power loss and  
fast switching are required.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
• High power and current handling capability.  
• DC/DC converter  
• Load switch  
• Motor drives  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
FDS5680  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
60  
V
V
A
±20  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
8
50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
W
1.2  
1
(Note 1c)  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
TJ, Tstg  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
4450  
Si4450DY  
13’’  
12mm  
2500 units  
2001 Fairchild Semiconductor International  
Si4450DY Rev. A  
12345678

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与SI4450DYL86Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4450DY-T1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4450DY-T1-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI4451DY VISHAY

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 		P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI4451DY-E3 VISHAY

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 		Transistor
SI4451DY-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 10000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET
SI4451DY-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 10000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SI4453DY VISHAY

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 		P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI4453DY-T1 VISHAY

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 		P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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 		Small Signal Field-Effect Transistor,

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