5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI4453DY-T1-E3
SI4453DY-T1-E3 PDF预览

SI4453DY-T1-E3

更新时间： 2024-11-09 20:11:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 90K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI4453DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最高工作温度：150 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SI4453DY-T1-E3 数据手册

 浏览型号SI4453DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4453DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4453DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4453DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4453DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第6页 
Si4453DY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 14  
Definition  
0.0065 at VGS = - 4.5 V  
0.00775 at VGS = - 2.5 V  
0.01025 at VGS = - 1.8 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 12  
- 13  
- 12  
APPLICATIONS  
•
Load Switch  
•
Battery Switch  
S
SO-8  
S
S
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
S
D
D
G
Top View  
D
Ordering Information: Si4453DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4453DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 12  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 14  
- 10  
- 8  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
- 11.5  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 50  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
- 2.7  
3.0  
- 1.36  
1.5  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
1.9  
0.95  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
33  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
42  
84  
21  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
70  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
16  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72175  
S09-0705-Rev. C, 27-Apr-09  
www.vishay.com  
1
123456

中文翻译

下载PDF

SI4453DY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4477DY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

与SI4453DY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4453DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
Si4455 SILICON

获取价格

 		Si4455 EZRadioPRO ISM 波段采用 QFN20 封装。Si4x55-C2
SI4455-B1A-FM SILICON

获取价格

 		Telecom Circuit, 1-Func, 3 X 3 MM, LEAD FREE, QFN-20
SI4455-B1A-FMR SILICON

获取价格

 		Telecom Circuit, 1-Func, 3 X 3 MM, LEAD FREE, QFN-20
Si4455-C2A-GM SILICON

获取价格

 		EASY-TO-USE, LOW-CURRENT OOK/(G)FSK SUB-GHZ TRANSCEIVER, TRANSMITTER, AND RECEIVER
SI4455-C2A-GMR SILICON

获取价格

 		EASY-TO-USE, LOW-CURRENT OOK/(G)FSK SUB-GHZ TRANSCEIVER, TRANSMITTER, AND RECEIVER
SI4455DY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI4455DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
Si4456DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4456DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

与SI4453DY-T1-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证