Datasheet > SI4450DY

SI4450DY

更新时间： 2024-11-05 22:43:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	99K
描述
60V N-Channel PowerTrench MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI4450DY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SO-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI4450DY 数据手册

January 2001

Si4450DY

60V N-Channel PowerTrench MOSFET

Features

General Description

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild

Semiconductor's advanced PowerTrench process that

has been especially tailored to minimize on-state

resistance and yet maintain superior switching

performance.

• 8 A, 60 V. R_DS(on)= 0.020 Ω @ V_GS= 10 V

_DS(on)= 0.025 Ω @ V_GS= 6 V.

• Low gate charge (30nC typical).

• Fast switching speed.

These devices are well suited for low voltage and battery

powered applications where low in-line power loss and

fast switching are required.

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Applications

• High power and current handling capability.

• DC/DC converter

• Load switch

• Motor drives

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

P_D

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

2.5

1.2

(Note 1c)

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

T_J, T_stg

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

R_θJA

°C/W

R_θJC

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

4450

Si4450DY

13’’

12mm

2500 units

2001 Fairchild Semiconductor International

Si4450DY Rev. A

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

SI4450DY 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI4450DY-E3	VISHAY	功能相似	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4450DY-T1	VISHAY	功能相似	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

与SI4450DY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4450DY-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4450DYF011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4450DYL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4450DY-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4450DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI4451DY	VISHAY	获取价格	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI4451DY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI4451DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 10000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET
SI4451DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 10000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SI4453DY	VISHAY	获取价格	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

与SI4450DY相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SI4450DY

SI4450DY 技术参数

SI4450DY 数据手册

SI4450DY 替代型号

与SI4450DY相关器件

与SI4450DY相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SI4450DY

SI4450DY 技术参数

SI4450DY 数据手册

SI4450DY 替代型号

与SI4450DY相关器件

与SI4450DY相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？