是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 7.11 | 雪崩能效等级(Eas): | 13 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.3 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.3 A |
最大漏源导通电阻: | 0.054 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI4447DY-T1-GE3 | VISHAY |
类似代替 |
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4447DY-T1-GE3 | VISHAY |
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MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC | |
SI4448DY-T1-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 32A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
SI4448DY-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 32A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
SI4450DY | FAIRCHILD |
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60V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
SI4450DY-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
SI4450DYF011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o | |
SI4450DYL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o | |
SI4450DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
SI4450DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
SI4451DY | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |