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SI4446DY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-06 20:08:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 128K
描述
MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC

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SI4446DY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：8.48
雪崩能效等级（Eas）：8.5 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：3.9 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4446DY-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si4446DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)d  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg  
100 % Rg UIS Tested  
0.040 at VGS = 10 V  
0.045 at VGS = 4.5 V  
5.2  
4.9  
•
•
•
40  
8
APPLICATIONS  
CCFL Inverter  
•
SO-8  
D
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
Top View  
S
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si4446DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4446DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
40  
12  
V
VGS  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
5.2  
4.2  
3.9  
3.1  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
T
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
30  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Avalanche Current  
1.7  
0.9  
IAS  
EAS  
13  
L = 0.1 mH  
Single-Pulse Avalanche Energy  
8.5  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.0  
1.3  
1.1  
0.7  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
52  
Maximum  
62.5  
Unit  
t ≤ 10 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
RthJF  
Steady State  
Steady State  
90  
110  
°C/W  
32  
40  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 73661  
S09-0322-Rev. B, 02-Mar-09  
www.vishay.com  
1
123456

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SI4446DY-T1-GE3 替代型号

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