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SI2365EDS-T1-GE3

更新时间： 2024-10-30 19:47:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 238K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, 3 PIN

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SI2365EDS-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：TO-236, 3 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：1.68
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.9 A最大漏极电流 (ID)：5.9 A
最大漏源导通电阻：0.041 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.7 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2365EDS-T1-GE3 数据手册

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Si2365EDS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
TrenchFET® Power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
I
D (A)a  
- 5.9  
- 5.2  
- 4.3  
100 % Rg Tested  
Built-in ESD Protection  
VDS (V)  
RDS(on) () Max.  
Qg (Typ.)  
0.0320 at VGS = - 4.5 V  
0.0410 at VGS = - 2.5 V  
0.0675 at VGS = - 1.8 V  
- Typical ESD Performance 3000 V  
- 20  
13.8 nC  
•
Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
TO-236  
(SOT-23)  
APPLICATIONS  
• Power Management for Portable and Consumer  
- Load Switches  
G
S
1
2
- DC/DC Converters  
3
S
D
Top View  
G
Si2365EDS (H5)*  
* Marking Code  
D
Ordering Information:  
Si2365EDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 20  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
8
T
C = 25 °C  
- 5.9  
- 4.7  
- 4.5b, c  
- 3.6b, c  
- 20  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
ID  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (t = 300 µs)  
TC = 25 °C  
- 1.4  
- 1b, c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
1.7  
T
1.1  
1b, c  
0.6b, c  
- 55 to 150  
260  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
130  
Unit  
t 5 s  
100  
60  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
75  
Notes:  
a. TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 175 °C/W.  
Document Number: 63199  
S13-1505-Rev. C, 01-Jul-13  
www.vishay.com  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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