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SI2367DS-T1-GE3

更新时间： 2024-10-30 21:14:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 245K
描述
P-CH MOSFET SOT-23 20V 66MOHM @ 4.5V - Tape and Reel

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SI2367DS-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.8 A最大漏极电流 (ID)：3.8 A
最大漏源导通电阻：0.066 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.7 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI2367DS-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si2367DS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)d  
Definition  
0.066 at VGS = - 4.5 V  
0.086 at VGS = - 2.5 V  
0.130 at VGS = - 1.8 V  
- 3.8  
- 3.3  
- 2.7  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
- 20  
9 nC  
100 % R Tested  
g
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
TO-236  
(SOT-23)  
APPLICATIONS  
•
Load Switch for Portable Devices  
•
DC/DC Converter  
G
S
1
3
2
S
D
G
Top View  
Si2367DS (H7)*  
* Marking Code  
D
Ordering Information: Si2367DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 20  
8
V
VGS  
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
- 3.8  
- 3.0  
T
ID  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
- 2.8a, b  
- 2.2a, b  
- 15  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TC = 25 °C  
- 1.4  
- 0.8a, b  
1.7  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
1.1  
PD  
W
Maximum Power Dissipation  
0.96a, b  
T
A = 25 °C  
0.62a, b  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
Symbol  
Typical  
Maximum  
130  
Unit  
RthJA  
t ≤ 5 s  
100  
60  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
75  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 5 s.  
c. Maximum under Steady State conditions is 175 °C/W.  
d. TC = 25 °C.  
Document Number: 65015  
S09-1218-Rev. A, 29-Jun-09  
www.vishay.com  
1
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