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SI2371EDS-T1-GE3

更新时间： 2024-10-30 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 225K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN

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SI2371EDS-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5.69
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：4.8 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2371EDS-T1-GE3 数据手册

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Si2371EDS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
TrenchFET® Power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
I
D (A)a  
- 4.8  
- 4.4  
- 3.6  
100 % Rg Tested  
Built-in ESD Protection  
VDS (V)  
RDS(on) () Max.  
0.045 at VGS = - 10 V  
0.053 at VGS = - 4.5 V  
0.080 at VGS = - 2.5 V  
Qg (Typ.)  
- Typical ESD Performance 3000 V  
- 30  
10.6 nC  
•
Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
TO-236  
(SOT-23)  
APPLICATIONS  
• Power Management for Portable and Consumer  
- Load Switches  
G
1
2
- OVP (Over Voltage Protection) Switch  
3
S
D
S
Top View  
G
Si2371EDS (E6)*  
* Marking Code  
D
Ordering Information:  
Si2371EDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 30  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
12  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 4.8  
- 3.8  
- 3.7b,c  
- 2.9b,c  
- 20  
ID  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (t = 300 µs)  
TC = 25 °C  
A = 25 °C  
- 1.4  
- 1b,c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
TC = 25 °C  
1.7  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
1.1  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
1b,c  
0.6b,c  
T
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
100  
60  
Maximum  
130  
Unit  
t 5 s  
Steady State  
°C/W  
RthJF  
75  
Notes:  
a. TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 175 °C/W.  
Document Number: 63924  
S13-0633-Rev. A, 25-Mar-13  
www.vishay.com  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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