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SI2392ADS-T1-GE3

更新时间： 2024-10-30 18:52:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 261K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN

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SI2392ADS-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.71
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：3.1 A最大漏源导通电阻：0.126 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2392ADS-T1-GE3 数据手册

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Si2392ADS  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
• TrenchFET® power MOSFET  
• 100 % Rg and UIS tested  
• Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
ID (A) a  
3.1  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω) MAX.  
Qg (TYP.)  
0.126 at VGS = 10 V  
0.144 at VGS = 6 V  
0.189 at VGS = 4.5 V  
100  
2.9  
2.9 nC  
2.6  
SOT-23 (TO-236)  
D
APPLICATIONS  
• DC/DC converters / boost converters  
• Load switch  
D
3
• LED backlighting in LCD TVs  
G
• Power management for mobile  
2
S
computing  
S
1
G
N-Channel MOSFET  
Top View  
Marking Code: G2  
Ordering Information:  
Si2392ADS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
100  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
3.1  
2.5  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.2 b, c  
1.8 b, c  
8
A
Pulsed Drain Current (t = 300 μs)  
IDM  
IS  
T
C = 25 °C  
2.1  
1 b, c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
IAS  
3
L = 0.1 mH  
EAS  
0.45  
2.5  
mJ  
W
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
1.6  
Maximum Power Dissipation  
PD  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.25 b, c  
0.8 b, c  
-55 to 150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
Maximum Junction-to-Ambient b, d  
SYMBOL  
RthJA  
TYPICAL  
MAXIMUM  
UNIT  
t ≤ 5 s  
Steady State  
75  
40  
100  
50  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJF  
Notes  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 166 °C/W.  
S14-0909-Rev. A, 28-Apr-14  
Document Number: 62960  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...10

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与SI2392ADS-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
Si2392BDS VISHAY

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 		N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
Si2393DS VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI2393DS-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
SI2399DS VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI2399DS (KI2399DS) KEXIN

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 		P-Channel MOSFET
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 		Modem, 2.4kbps Data, PDSO16, ROHS COMPLIANT, SOIC-16
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 		Modem, 2.4kbps Data, PDSO16, SOIC-16

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