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SI2300

更新时间： 2024-11-15 06:11:31

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
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2页	48K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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SI2300 数据手册

SMD Type

MOSFIECT

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

KI2300(^SI2300)

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

VDS=20V,RDS(ON)=40m @VGS=4.5V,ID=5.0A

VDS=20V,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V,ID=4.0A

VDS=20V,,RDS(ON)=75m @VGS=1.8V,ID=1.0A

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

1. Gate

2.Emitter

2. Source

3. Drain

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

VDS

Rating

Unit

Gate-Source Voltage

VGS

3.8

Drain-Current

-Continuous * TJ=125

-Pulsed

IDM

Power Dissipation *

1.25

100

Thermal Resistance,Junction- to-Ambient

RthJA

Tj.Tstg

Operating Junction and Storage Temperature Range

* Surface Mounted on FR 4 Board ,t 10 sec.

-55 to 150

www.kexin.com.cn

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