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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI2301BDS-T1-E3
SI2301BDS-T1-E3 PDF预览

SI2301BDS-T1-E3

更新时间： 2024-11-02 12:14:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
9页 213K
描述
P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET

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SI2301BDS-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：184088
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236)
Samacsys Released Date：2015-04-13 16:58:49Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.2 A最大漏极电流 (ID)：2.2 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.9 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2301BDS-T1-E3 数据手册

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Si2301BDS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
I
D (A)b  
- 2.4  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
0.100 at VGS = - 4.5 V  
0.150 at VGS = - 2.5 V  
- 20  
100 % Rg Tested  
- 2.0  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2301 BDS (L1)*  
* Marking Code  
Ordering Information:  
Si2301BDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si2301BDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 20  
ꢀ
V
VGS  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
- 2.4  
- 1.9  
- 2.2  
- 1.ꢀ  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)b  
ID  
T
A
Pulsed Drain Currenta  
Continuous Source Current (Diode Conduction)b  
IDM  
IS  
- 10  
- 0.72  
0.9  
- 0.6  
0.7  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Power Dissipationb  
PD  
W
0.57  
0.45  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
120  
Maximum  
145  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb  
Maximum Junction-to-Ambientc  
RthJA  
°C/W  
140  
175  
Notes:  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
b. Surface mounted on FR4 board, t 5 s.  
c. Surface mounted on FR4 board.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 72066  
S11-2044-Rev. F, 17-Oct-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

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SI2301BDS-T1-E3 替代型号

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