是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 0.79 | Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released | Samacsys PartID: | 184089 |
Samacsys Pin Count: | 3 | Samacsys Part Category: | Integrated Circuit |
Samacsys Package Category: | SOT23 (3-Pin) | Samacsys Footprint Name: | SOT-23 (TO-236) |
Samacsys Released Date: | 2015-04-13 16:58:49 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.1 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.1 A |
最大漏源导通电阻: | 0.112 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-236 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.6 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI2301CDS-T1-E3 | VISHAY |
类似代替 |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
CPH3350-TL-W | ONSEMI |
功能相似 |
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功能相似 |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI2301DS | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET | |
SI2301DS | HC |
获取价格 |
SOT-23-3 | |
SI2301DS (KI2301DS) | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET | |
SI2301DST | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 | |
SI2301DS-T1 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET | |
SI2301DS-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, | |
SI2301HE3 | MCC |
获取价格 |
Tape&Reel:3Kpcs/Reel; | |
SI2302 | MCC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
SI2302 | HTSEMI |
获取价格 |
20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
SI2302 |
获取价格 |
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Fie |