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SI2301B

更新时间： 2024-11-16 17:15:43

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
3页	877K
描述
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-2.5A;Vgs(th)(V):±8;漏源导通电阻:120mΩ@-4.5V

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SI2301B 数据手册

UMW

UMW SI2301B

UMW SI2301B^{P-Channel 20-V(D-S) MOSFET}

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

SOT-23

-4.5V

120

150

-20

2.5

mΩ -2.5V

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

APPLICATION

FEATURE

Load Switch for Portable Devices

DC/DC Converter

TrenchFET Power MOSFET

MARKING

Equivalent Circuit

A1SHB

Maximum ratings (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Value

Unit

V_DS

V_GS

I_D

-20

±8

Gate-Source Voltage

-2.5

Continuous Drain Current (T_J=150℃)

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

-10

Continuous Source-Drain Diode Current

Maximum Power Dissipation

-0.72

0.35

357

P_D

Thermal Resistance from Junction to Ambient(t≤5s)

Junction Temperature

℃/W

T_J

150

℃

Storage Temperature

T_stg

-55 ~+150

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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