SI2301BDS

更新时间： 2024-11-14 22:21:51

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威世 - VISHAY		/
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5页	61K
描述
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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SI2301BDS 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.25
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.2 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

SI2301BDS 数据手册

Si2301BDS

Vishay Siliconix

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)^b

0.100 @ V = -4.5 V

-2.4

-2.0

-20

0.150 @ V = -2.5 V

TO-236

(SOT-23)

Ordering Information: Si2301BDS-T1

Top View

Si2301 BDS (L1)*

*Marking Code

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-20

T = 25_C

-2.4

-1.9

-2.2

-1.8

Continuous Drain Current (T = 150_C)

T = 70_C

Pulsed Drain Current

-10

Continuous Source Current (Diode Conduction)

-0.72

0.9

-0.6

0.7

T = 25_C

Power Dissipation

T = 70_C

0.57

0.45

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

120

140

145

175

thJA

C/W

Maximum Junction-to-Ambient

Notes

a. Pulse width limited by maximum junction temperature.

b. Surface Mounted on FR4 Board, t v 5 sec.

c. Surface Mounted on FR4 Board.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 72066

S-31990—Rev. B, 13-Oct-03

www.vishay.com

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SI2301BDS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI2301BDS-T1-GE3	VISHAY	完全替代	P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
SI2301BDS-T1-E3	VISHAY	功能相似	P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
SSM3J304T	TOSHIBA	功能相似	Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type Power Management Switch Applications Hi

与SI2301BDS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI2301BDS (KI2301BDS)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
SI2301BDS_08	VISHAY	获取价格	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI2301BDS-T1	VISHAY	获取价格	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI2301BDS-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
SI2301BDS-T1-GE3	VISHAY	获取价格	P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
SI2301CDS	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2301CDS-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2301CDS-T1-GE3	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2301DS	VISHAY	获取价格	P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
SI2301DS	HC	获取价格	SOT-23-3