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SI2301ADS-T1-E3

更新时间： 2024-11-15 14:44:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	64K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236, LEAD FREE PACKAGE-3

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SI2301ADS-T1-E3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	1.75 A
最大漏源导通电阻：	0.13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI2301ADS-T1-E3 数据手册

Si2301ADS

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)^b

0.130 @ V = –4.5 V

–2.0

–1.6

–20

0.190 @ V = –2.5 V

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2301DS (1A)*

*Marking Code

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–20

T = 25_C

–2.0

–1.6

–1.75

–1.4

Continuous Drain Current (T = 150_C)

T = 70_C

Pulsed Drain Current

–10

Continuous Source Current (Diode Conduction)

–0.75

0.9

–0.6

0.7

T = 25_C

Power Dissipation

T = 70_C

0.57

0.45

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

115

140

175

thJA

C/W

Maximum Junction-to-Ambient

Notes

a. Pulse width limited by maximum junction temperature.

b. Surface Mounted on FR4 Board, t v 5 sec.

c. Surface Mounted on FR4 Board.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 71835

S-20617—Rev. B, 29-Apr-02

www.vishay.com

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