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SI2301A

更新时间： 2024-11-16 17:15:51

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友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
3页	768K
描述
漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-2.8A;栅极-源极阈值电压:1V @ 250uA;漏源导通电阻:85mΩ@-4.5V;最大功耗（Ta = 25°C）:400mW;种类:P-Channel;Vgs(th)(V):±12

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SI2301A 数据手册

UMW

UMW SI2301A

SOT–23

UMW SI2301A_{P-Channel 20-V(D-S) MOSFET}

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

-4.5V

-20

-2.8

1. GATE

mΩ -2.5V

110

2. SOURCE

3. DRAIN

FEATURE

TrenchFET Power MOSFET

APPLICATION

Load Switch for Portable Devices

DC/DC Converter

Equivalent Circuit

Maximum ratings (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Value

Unit

V_DS

V_GS

I_D

-20

±12

Gate-Source Voltage

-2.8

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

-12

Continuous Source-Drain Diode Current

Maximum Power Dissipation

-0.72

0.4

P_D

Thermal Resistance from Junction to Ambient(t ≤5s)

Junction Temperature

125

℃/W

T_J

150

℃

Storage Temperature

T_stg

-55 ~+150

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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