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SI2301DS

更新时间： 2024-11-03 17:15:15

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SOT-23-3

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SI2301DS 数据手册

SHENZHEN HAOCHANG SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate MOSFETS

SI2301

P-Channel Enhancement MOSFET

SOT-23-3

Unit: mm

+0.2

-0.1

2.9

+0.1

-0.1

0.4

■ Features

● VDS (V) =-20V

● RDS(ON) ＜ 100mΩ (VGS =-4.5V)

● RDS(ON) ＜ 150mΩ (VGS =-2.5V)

+0.02

-0.02

+0.1

-0.1

0.15

0.95

+0.1

-0.2

1.9

1. Gate

2. Source

3. Drain

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

-20

VDS

±8

Gate-Source Voltage

-2.4

-1.9

-2.2

-1.8

Continuous Drain Current

(T =150℃)

Ta=25℃

Ta=70℃

-10

Pulsed Drain Current *2

Power Dissipation *1

IDM

0.9

0.57

120

140

0.7

0.45

145

175

Ta=25℃

Ta=70℃

℃/W

℃

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient *1

RthJA

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

-55 to 150

Tstg

*1 Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 5 sec.

*2 Pulse width limited by maximum junction temperature.

*3 Surface Mounted on FR4 Board.

浩畅半导体

RevK：M ay2014

www.szhaochang.cn

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