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SI2301DS (KI2301DS)

更新时间： 2024-10-15 18:09:59

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科信 - KEXIN		/
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5页	250K
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P-Channel MOSFET

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SMD Type

MOSFET

P-Channel Enhancement MOSFET

SI2301DS (KI2301DS)

627ꢅꢆꢋꢅꢋ

8QLWꢊ PP

ꢃꢀꢁꢆ

ꢅꢀꢁꢄ

ꢆꢁꢇ

ꢃꢀꢁꢄ

ꢅꢀꢁꢄ

ꢀꢁꢂ

Ƶ Features

ƽ VDS (V) =-20V

ƽ RDS(ON) ˘ 100m¡ (VGS =-4.5V)

ƽ RDS(ON) ˘ 150m¡ (VGS =-2.5V)

ꢃꢀꢁꢀꢆ

ꢅꢀꢁꢀꢆ

ꢃꢀꢁꢄ

ꢅꢀꢁꢄ

ꢀꢁꢄꢈ

ꢀꢁꢇꢈ

ꢃꢀꢁꢄ

ꢅꢀꢁꢆ

ꢄꢁꢇ

ꢂ

ꢀ

ꢁ

ꢀꢁ *DWH

ꢂꢁ 6RXUFH

ꢃꢁ 'UDLQ

Ƶ Absolute Maximum Ratings Ta = 25ć

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

-20

VDS

Gate-Source Voltage

-ꢀ.ꢁ

-ꢁ.ꢃ

-2.ꢂ

-ꢁ.ꢀ

Continuous Drain Current

(T =150ć)

Ta=25ć

Ta=70ć

-10

Pulsed Drain Current *2

Power Dissipation *1

IDM

0.9

0.57

120

140

0.7

0.45

145

175

Ta=25ć

Ta=70ć

ć/W

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient *1

RthJA

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

-55 to 150

Tstg

*1 Surface Mounted on FR4 Board, t İ 5 sec.

*2 Pulse width limited by maximum junction temperature.

*3 Surface Mounted on FR4 Board.

www.kexin.com.cn

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