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SI2301ADS-E3 PDF预览

SI2301ADS-E3

更新时间： 2024-11-15 14:44:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 64K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, 3 PIN

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SI2301ADS-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.22Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：1.75 A最大漏源导通电阻：0.13 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2301ADS-E3 数据手册

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Si2301ADS  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)b  
0.130 @ V = –4.5 V  
–2.0  
–1.6  
GS  
–20  
0.190 @ V = –2.5 V  
GS  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2301DS (1A)*  
*Marking Code  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 sec  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
–20  
DS  
GS  
V
V
"8  
T = 25_C  
A
–2.0  
–1.6  
–1.75  
–1.4  
A
b
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T = 70_C  
A
a
Pulsed Drain Current  
I
–10  
DM  
b
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
–0.75  
0.9  
–0.6  
0.7  
S
T = 25_C  
A
A
b
Power Dissipation  
P
W
D
T = 70_C  
0.57  
0.45  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
b
Maximum Junction-to-Ambient  
115  
140  
140  
175  
R
thJA  
_
C/W  
c
Maximum Junction-to-Ambient  
Notes  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
b. Surface Mounted on FR4 Board, t v 5 sec.  
c. Surface Mounted on FR4 Board.  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm  
Document Number: 71835  
S-20617—Rev. B, 29-Apr-02  
www.vishay.com  
1
12345

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与SI2301ADS-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2301ADS-T1 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
SI2301ADS-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
SI2301AHE3 MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2301B UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C
SI2301BD VISHAY

获取价格

 		P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI2301BDS VISHAY

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 		P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI2301BDS (KI2301BDS) KEXIN

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 		P-Channel MOSFET
SI2301BDS_08 VISHAY

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 		P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI2301BDS-T1 VISHAY

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 		P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI2301BDS-T1-E3 VISHAY

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 		P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET

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