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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI2301_11 | MCC |
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| SI2301A | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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| SI2301A | UMW |
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漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-2.8A;栅极-源 |
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| Si2301ADS | TI |
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Triple-Supply Power Management IC for Powering FPGAs and DSPs |
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| SI2301ADS | VISHAY |
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P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI2301ADS-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SI2301ADS-T1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SI2301ADS-T1-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SI2301AHE3 | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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| SI2301B | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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