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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN2710 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
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| RN2710(TE85L,F) | TOSHIBA |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353 |
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| RN2710JE | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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| RN2710JE(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR |
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| RN2710JE(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR |
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| RN2710JE(TPL3,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR |
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| RN2710TE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
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| RN2711 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
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| RN2711(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353 |
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| RN2711JE | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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