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RN2714

更新时间: 2024-11-04 19:53:55
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东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 195K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2L1A, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN2714 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:2-2L1A, 5 PIN针数:5
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.54
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PDSO-G5
元件数量:2端子数量:5
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

RN2714 数据手册

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RN2714  
東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 (PCT方式) (バイアス抵抗内蔵)  
RN2714  
スイッチング用  
単位: mm  
インバータ回路用  
インタフェース回路用  
ドライバ回路用  
ウルトラスーパーミニ (5 端子) パッケージ2 素子を内蔵しています。  
バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため、部品点数の削減に  
よる機器の小型化, 組み立て2-2L1A 省力化が可能です。  
等価回路とバイアス抵抗値  
C
R1  
B
E
JEDEC  
JEITA  
R1: 1.0 kΩ (Q1, Q2 共通)  
R2: 10 kΩ (Q1, Q2 共通)  
東 芝  
2-2L1A  
質量:6.2mg (標準)  
絶対最大定格 (Ta = 25°C) (Q1, Q2 共通)  
記 号  
単位  
コ レ ク タ ・ ベ ー ス 間 電 圧  
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 電 圧  
エ ミ ッ タ ・ ベ ー ス 間 電 圧  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
50  
5  
V
V
V
I
100  
200  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
P (1)  
C
T
150  
j
T
stg  
55~150  
: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電  
/高電圧印加大な温度変化等) で連続して使用される場合は頼性が著しく低下するおそれがあります。  
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ  
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。  
1: トータル定格です。  
内部接続 (top view)  
5
4
Q1  
Q2  
1
2
3
1
2007-11-01  

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