Datasheet > RN2901TE85L

RN2901TE85L

更新时间： 2024-11-06 15:49:47

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	569K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RN2901TE85L 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	6 pF	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

RN2901TE85L 数据手册

RN2901~RN2906

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)

RN2901,RN2902,RN2903,RN2904,RN2905,RN2906

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Unit : mm

z Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)

z With built-in bias resistors

z Simplify circuit design

z Reduce a quantity of parts and manufacturing process

z Complementary to RN1901 to RN1906

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN2901

RN2902

RN2903

RN2904

RN2905

RN2906

4.7

US6

JEDEC

―

2.2

4.7

JEITA

2-2J1A

TOSHIBA

Weight: 6.8 mg (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)

Equivalent Circuit

(Top View)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

−50

CBO

CEO

RN2901 to 2906

Collector-emitter voltage

RN2901 to 2904

RN2905, 2906

−10

Emitter-base voltage

EBO

−5

Collector current

−100

200

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

P *

RN2901 to 2906

150

stg

−55~150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

* : Total rating

2010-07-09

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与RN2901TE85L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN2901TE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
RN2902	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2902(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN,
RN2902(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP
RN2902,LF(CT	TOSHIBA	获取价格	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2902AFS	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2902FE	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2902FE(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	RN2902FE(TE85L)
RN2902FE(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP
RN2902FS	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

与RN2901TE85L相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RN2901TE85L

RN2901TE85L 技术参数

RN2901TE85L 数据手册

与RN2901TE85L相关器件

与RN2901TE85L相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RN2901TE85L

RN2901TE85L 技术参数

RN2901TE85L 数据手册

与RN2901TE85L相关器件

与RN2901TE85L相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？