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RN2901-11

更新时间： 2024-11-06 15:49:47

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	569K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN2901-11 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.77	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTORS
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RN2901-11 数据手册

RN2901~RN2906

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)

RN2901,RN2902,RN2903,RN2904,RN2905,RN2906

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Unit : mm

z Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)

z With built-in bias resistors

z Simplify circuit design

z Reduce a quantity of parts and manufacturing process

z Complementary to RN1901 to RN1906

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN2901

RN2902

RN2903

RN2904

RN2905

RN2906

4.7

US6

JEDEC

―

2.2

4.7

JEITA

2-2J1A

TOSHIBA

Weight: 6.8 mg (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)

Equivalent Circuit

(Top View)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

−50

CBO

CEO

RN2901 to 2906

Collector-emitter voltage

RN2901 to 2904

RN2905, 2906

−10

Emitter-base voltage

EBO

−5

Collector current

−100

200

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

P *

RN2901 to 2906

150

stg

−55~150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

* : Total rating

2010-07-09

12 3 4 5 6 7

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RN2901FE	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2901FE(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	RN2901FE(TE85L)
RN2901FE(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP
RN2901FE(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP
RN2901FE(TPL3,F)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP
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RN2901TE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
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