RN2713JE

更新时间： 2024-11-04 11:58:59

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关小信号双极晶体管光电二极管驱动
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6页	261K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

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RN2713JE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.55
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
元件数量：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

RN2713JE 数据手册

RN2712JE,RN2713JE

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2712JE, RN2713JE

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Driver Circuit Applications

Unit : mm

z Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin)

package.

z Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact

equipment and lowers assembly cost.

z A wide range of resistor values is available for use in various circuits.

Equivalent Circuit

1.BASE1

(B1)

2.EMITTER

3.BASE2

4.COLLECTOR2

5.COLLECTOR1

(E)

(B2)

(C2)

(C1)

JEDEC

―

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

JEITA

―

TOSHIBA

2-2P1D

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

Weight: 0.003g(typ.)

CBO

CEO

EBO

−50

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

−5

Collector current

−100

100

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

P *

150

stg

−55~150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

*: Total rating

Equivalent Circuit

(top view)

2007-11-01

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RN2713JE(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR
RN2713JE(TPL3,F)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR
RN2714	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2L1A, 5 PIN, BIP G
RN2714,LF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
RN2731B110W	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 12A I(C) \| FO-91VAR
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RN2901(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP
RN2901(TE85R)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN,

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