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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN2712JE | TOSHIBA |
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Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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| RN2712JE(TE85L) | TOSHIBA |
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RN2712JE(TE85L) |
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| RN2712JE(TE85L,F) | TOSHIBA |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR |
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| RN2712JE(TPL3) | TOSHIBA |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR |
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| RN2713JE | TOSHIBA |
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Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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| RN2713JE(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
RN2713JE(TE85L) |
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| RN2713JE(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR |
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| RN2713JE(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR |
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| RN2713JE(TPL3,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR |
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| RN2714 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2L1A, 5 PIN, BIP G |
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