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RFD15N06LESM9A

更新时间： 2024-09-16 15:49:35

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	391K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,

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RFD15N06LESM9A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	72 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RFD15N06LESM9A 数据手册

RFD15N06LE, RFD15N06LESM

Data Sheet

April 1999

File Number 4079.1

15A, 60V, 0.065 Ohm, ESD Rated, Logic

Level, N-Channel Power MOSFETs

Features

• 15A, 60V

[ /Title These are N-Channel power MOSFETs manufactured using

• r

= 0.065Ω

• 2kV ESD Protected

DS(ON)

the MegaFET process. This process, which uses feature

(RFD1

5N06L

RFD15

sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum

utilization of silicon, resulting in outstanding performance.

They were designed for use in applications such as

switching regulators, switching converters, motor drivers,

• Temperature Compensating PSPICE® Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

N06LE

SM)

and relay drivers. These transistors can be operated directly

from integrated circuits.

• 175 C Operating Temperature

/Sub-

ject

(15A,

60V,

0.065

Ohm,

ESD

Rated,

Logic

Level,

N-

Formerly developmental type TA49165.

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

TO-251AA

TO-252AA

BRAND

F15N6L

Symbol

RFD15N06LE

RFD15N06LESM

NOTE: When ordering, use the entire part number.For ordering in tape

and reel, add the sufﬁx 9A to the part number, i.e. RFD15N06LESM9A.

Chan-

nel

Power

MOS-

FETs)

/Autho

r ()

Packaging

JEDEC TO-251AA

JEDEC TO-252AA

DRAIN (FLANGE)

SOURCE

DRAIN

GATE

/Key-

words

(Inter-

sil

DRAIN (FLANGE)

GATE

SOURCE

Corpo-

ration,

ESD

Rated,

Logic

Level,

N-

Chan-

nel

Power

RFD15N06LE, RFD15N06LESM Rev. A

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RFD15P05	INTERSIL	获取价格	15A, 50V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RFD15P05SM	INTERSIL	获取价格	15A, 50V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RFD15P05SM9A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-252AA
RFD15P06	INTERSIL	获取价格	15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RFD15P06SM	INTERSIL	获取价格	15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RFD15P06SM9A	RENESAS	获取价格	15A, 60V, 0.15ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN
RFD16N02	INTERSIL	获取价格	16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET
RFD16N02L	INTERSIL	获取价格	16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET
RFD16N02L	ROCHESTER	获取价格	16A, 20V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
RFD16N02LSM	ROCHESTER	获取价格	16A, 20V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

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