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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | TO-252AA, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | MEGAFET | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RFD16N02 | INTERSIL |
获取价格 |
16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET |
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| RFD16N02L | INTERSIL |
获取价格 |
16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET |
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| RFD16N02L | ROCHESTER |
获取价格 |
16A, 20V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
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| RFD16N02LSM | ROCHESTER |
获取价格 |
16A, 20V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
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| RFD16N02LSM | INTERSIL |
获取价格 |
16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET |
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| RFD16N03 | FAIRCHILD |
获取价格 |
16A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Logic Level Enhancement-Mode Power MOSFETs |
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| RFD16N03 | INTERSIL |
获取价格 |
16A, 30V, 0.025 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
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| RFD16N03L | FAIRCHILD |
获取价格 |
16A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Logic Level Enhancement-Mode Power MOSFETs |
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| RFD16N03L | INTERSIL |
获取价格 |
16A, 30V, 0.025 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
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| RFD16N03LSM | INTERSIL |
获取价格 |
16A, 30V, 0.025 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
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