RFD16N05

更新时间： 2024-09-15 22:43:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	414K
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16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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RFD16N05 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.047 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	72 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RFD16N05 数据手册

RFD16N05, RFD16N05SM

Data Sheet

January 2002

16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power

MOSFETs

Features

• 16A, 50V

The RFD16N05 and RFD16N05SM N-channel power

MOSFETs are manufactured using the MegaFET process.

This process, which uses feature sizes approaching those of

LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon,

resulting in outstanding performance. They were designed

for use in applications such as switching regulators,

• r = 0.047Ω

DS(ON)

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

switching converters, motor drivers, and relay drivers. These

transistors can be operated directly from integrated circuits.

• 175 C Operating Temperature

• Related Literature

Formerly developmental type TA09771.

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Ordering Information

Symbol

PART NUMBER

PACKAGE

TO-251AA

TO-252AA

BRAND

F16N05

RFD16N05

RFD16N05SM

NOTE: When ordering, use the entire part number.Add the sufﬁx 9A to

obtain theTO-252AA variant in the tape and reel, i.e., RFD16N05SM9A.

Packaging

JEDEC TO-251AA

JEDEC TO-252AA

DRAIN (FLANGE)

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN (FLANGE)

SOURCE

RFD16N05, RFD16N05SM Rev. B

12 3 4 5 6 7 8

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RFD16N05 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HUF76629D3S	INTERSIL	功能相似	20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
FQU2N60C	FAIRCHILD	功能相似	600V N-Channel MOSFET

与RFD16N05相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RFD16N05_03	FAIRCHILD	获取价格	16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N05L	FAIRCHILD	获取价格	16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N05L	INTERSIL	获取价格	16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N05LSM	FAIRCHILD	获取价格	16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N05LSM	INTERSIL	获取价格	16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N05LSM_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RFD16N05LSM9A	ONSEMI	获取价格	N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 50V，16A，47mΩ
RFD16N05LSM9A	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
RFD16N05LSM9A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RFD16N05SM	FAIRCHILD	获取价格	16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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