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RFD16N06LE

更新时间： 2024-09-16 20:20:23

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	340K
描述
16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA

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RFD16N06LE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.047 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	90 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RFD16N06LE 数据手册

RFD16N06LE, RFD16N06LESM

Data Sheet

October 1999

File Number 3628.3

16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level,

N-Channel Power MOSFETs

Features

• 16A, 60V

• r = 0.047Ω

These are N-Channel power MOSFETs manufactured using

a modern process. This process, which uses feature sizes

approaching those of LSI integrated circuits gives optimum

utilization of silicon, resulting in outstanding performance.

They were designed for use in applications such as

DS(ON)

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Can be Driven Directly from CMOS, NMOS, TTL

Circuits

switching regulators, switching converters, motor drivers,

relay drivers and emitter switches for bipolar transistors. This

performance is accomplished through a special gate oxide

design which provides full rated conductance at gate bias in

the 3V to 5V range, thereby facilitating true on-off power

control directly from logic level (5V) integrated circuits.

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA49027.

Symbol

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

TO-251AA

TO-252AA

BRAND

16N06L

16N06LE

RFD16N06LE

RFD16N06LESM

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add suffix 9A to

obtain the TO-252AA variant in the tape and reel, i.e.,

RFD16N06LESM9A.

Packaging

JEDEC TO-251AA

JEDEC TO-252AA

DRAIN (FLANGE)

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN (FLANGE)

GATE

SOURCE

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

PSPICE® is a registered trademgark of MicroSim Corporation.

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与RFD16N06LE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RFD16N06LESM	FAIRCHILD	获取价格	16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N06LESM	INTERSIL	获取价格	16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N06LESM	RENESAS	获取价格	16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
RFD16N06LESM9A	FAIRCHILD	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-252AA
RFD16N06LESM9A	ONSEMI	获取价格	N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V，16A，47mΩ
RFD16N06SM	INTERSIL	获取价格	16A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFET
RFD16N06SM	RENESAS	获取价格	16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
RFD16N06SM	ROCHESTER	获取价格	16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
RFD16N06SM9A	ROCHESTER	获取价格	16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
RFD16N06SM9A	RENESAS	获取价格	16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

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