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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.16 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RFD3055LE | FAIRCHILD |
获取价格 |
11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
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| RFD3055LE | INTERSIL |
获取价格 |
11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
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| RFD3055LE | ONSEMI |
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N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V，11A，107mΩ |
|
| RFD3055LE_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| RFD3055LESM | FAIRCHILD |
获取价格 |
11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
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| RFD3055LESM | INTERSIL |
获取价格 |
11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
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| RFD3055LESM_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| RFD3055LESM9A | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，逻辑电平，功率 MOSFET，60V，11A，107mΩ |
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| RFD3055LESM9A | INTERSIL |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-252AA |
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| RFD3055LESM9A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Power MOSFET |
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