RFD3055

更新时间： 2024-09-15 22:43:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
8页	416K
描述
11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

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RFD3055 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	53 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RFD3055 数据手册

RFD3055LE, RFD3055LESM, RFP3055LE

Data Sheet

January 2002

11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level,

N-Channel Power MOSFETs

Features

• 11A, 60V

These N-Channel enhancement-mode power MOSFETs are

manufactured using the latest manufacturing process

technology. This process, which uses feature sizes

approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization

of silicon, resulting in outstanding performance. They were

designed for use in applications such as switching

regulators, switching converters, motor drivers and relay

drivers. These transistors can be operated directly from

integrated circuits.

• r

= 0.107Ω

DS(ON)

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA49158.

Symbol

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

F3055L

RFD3055LE

TO-251AA

RFD3055LESM

RFP3055LE

TO-252AA

TO-220AB

F3055L

FP3055LE

NOTE: When ordering, use the entire part number.Add the sufﬁx, 9A,

to obtain the TO-252 variant in tape and reel, e.g. RFD3055LESM9A.

Packaging

JEDEC TO-220AB

JEDEC TO-251AA

SOURCE

DRAIN

GATE

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN (FLANGE)

JEDEC TO-252AA

DRAIN (FLANGE)

GATE

SOURCE

RFD3055LE, RFD3055LESM, RFP3055LE Rev. B

12 3 4 5 6 7 8

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RFD3055 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
RFD3055LE	FAIRCHILD	类似代替	11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD3055LE	ONSEMI	功能相似	N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V，11A，107mΩ
RFD3055LESM	FAIRCHILD	功能相似	11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

与RFD3055相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RFD3055LE	FAIRCHILD	获取价格	11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD3055LE	INTERSIL	获取价格	11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD3055LE	ONSEMI	获取价格	N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V，11A，107mΩ
RFD3055LE_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
RFD3055LESM	FAIRCHILD	获取价格	11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD3055LESM	INTERSIL	获取价格	11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD3055LESM_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RFD3055LESM9A	ONSEMI	获取价格	N 沟道，逻辑电平，功率 MOSFET，60V，11A，107mΩ
RFD3055LESM9A	INTERSIL	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-252AA
RFD3055LESM9A	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Power MOSFET

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