5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> RFD16N05LSM
RFD16N05LSM PDF预览

RFD16N05LSM

更新时间： 2024-11-01 22:43:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 51K
描述
16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

RFD16N05LSM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DPAK
包装说明：TO-252AA, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.42
其他特性：MEGAFET外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.056 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

RFD16N05LSM 数据手册

 浏览型号RFD16N05LSM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RFD16N05LSM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RFD16N05LSM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RFD16N05LSM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RFD16N05LSM的Datasheet PDF文件第6页 
RFD16N05L, RFD16N05LSM  
Data Sheet  
April 1999  
File Number 2269.2  
16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level,  
N-Channel Power MOSFETs  
Features  
• 16A, 50V  
These are N-Channel logic level power MOSFETs  
• r  
= 0.047Ω  
DS(ON)  
manufactured using the MegaFET process. This process,  
which uses feature sizes approaching those of LSI  
integrated circuits gives optimum utilization of silicon,  
resulting in outstanding performance. They were designed  
for use with logic level (5V) driving sources in applications  
such as programmable controllers, automotive switching,  
switching regulators, switching converters, motor relay  
drivers and emitter switches for bipolar transistors. This  
performance is accomplished through a special gate oxide  
design which provides full rated conductance at gate biases  
in the 3V to 5V range, thereby facilitating true on-off power  
control directly from logic circuit supply voltages.  
• UIS SOA Rating Curve (Single Pulse)  
• Design Optimized for 5V Gate Drives  
• Can be Driven Directly from CMOS, NMOS, TTL Circuits  
• Compatible with Automotive Drive Requirements  
• SOA is Power Dissipation Limited  
• Nanosecond Switching Speeds  
• Linear Transfer Characteristics  
• High Input Impedance  
• Majority Carrier Device  
Formerly developmental type TA09871.  
• Related Literature  
Ordering Information  
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
PART NUMBER  
RFD16N05L  
RFD16N05LSM  
PACKAGE  
TO-251AA  
TO-252AA  
BRAND  
RFD16N05L  
RFD16N05LSM  
Symbol  
D
NOTE: When ordering, include the entire part number. Add the suffix 9A  
to obtain the TO-252AA variant in tape and reel, i.e. RFD16N05LSM9A  
G
S
Packaging  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
DRAIN (FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN (FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.  
http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
6-163  
123456

中文翻译

下载PDF

与RFD16N05LSM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RFD16N05LSM_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RFD16N05LSM9A ONSEMI

获取价格

 		N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 50V，16A，47mΩ
RFD16N05LSM9A UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
RFD16N05LSM9A_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RFD16N05SM FAIRCHILD

获取价格

 		16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N05SM INTERSIL

获取价格

 		16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N05SM_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RFD16N05SM_NL ROCHESTER

获取价格

 		16A, 50V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
RFD16N05SM9A FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RFD16N05SM9A RENESAS

获取价格

 		16A, 50V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

与RFD16N05LSM相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证