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RFD16N06

更新时间： 2024-11-06 20:19:07

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	84K
描述
16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA

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RFD16N06 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.047 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	72 W	最大功率耗散 (Abs)：	72 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	125 ns
最大开启时间（吨）：	65 ns	Base Number Matches：	1

RFD16N06 数据手册

RFD16N06,

Semiconductor

RFD16N06SM

16A, 60V, 0.047 Ohm,

September 1998

N-Channel Power MOSFET

Features

Description

• 16A, 60V

These N-Channel power MOSFETs are manufactured using

the MegaFET process. This process which uses feature

sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives opti-

mum utilization of silicon, resulting in outstanding perfor-

mance. They were designed for use in applications such as

switching regulators, switching converters, motor drivers,

and relay drivers. These transistors can be operated directly

from integrated circuits.

[ /Title

(RFD16

N06,

RFD16

N06SM)

/Sub-

ject

(16A,

60V,

0.047

Ohm,

N-Chan-

nel

• r_DS(ON)= 0.047Ω

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• 175 C Operating Temperature

Formerly developmental type TA09771.

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Symbol

DRAIN

Ordering Information

PART NUMBER

RFD16N06

PACKAGE

TO-251AA

TO-252AA

BRAND

F16N06

Power

MOS-

FET)

GATE

RFD16N06SM

/Author

()

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add sufﬁx 9A to ob-

tain the TO-252AA variant in tape and reel, i.e., RFD16N06SM9A.

SOURCE

/Key-

words

(Harris

Semi-

conduc-

tor, N-

Chan-

nel

Packaging

JEDEC TO-251AA

JEDEC TO-252AA

SOURCE

DRAIN

(FLANGE)

GATE

DRAIN

(FLANGE)

GATE

SOURCE

Power

MOS-

FET,

TO-

251AA,

TO-

252AA)

/Cre-

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Users should follow proper ESD Handling Procedures.

File Number 4087.1

5-1

12 3 4 5 6 7

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与RFD16N06相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RFD16N06LE	INTERSIL	获取价格	16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N06LE	RENESAS	获取价格	16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
RFD16N06LESM	FAIRCHILD	获取价格	16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N06LESM	INTERSIL	获取价格	16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N06LESM	RENESAS	获取价格	16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
RFD16N06LESM9A	FAIRCHILD	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-252AA
RFD16N06LESM9A	ONSEMI	获取价格	N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V，16A，47mΩ
RFD16N06SM	INTERSIL	获取价格	16A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFET
RFD16N06SM	RENESAS	获取价格	16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
RFD16N06SM	ROCHESTER	获取价格	16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

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