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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.25 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 16 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.047 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RFD16N05_03 | FAIRCHILD |
获取价格 |
16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| RFD16N05L | FAIRCHILD |
获取价格 |
16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
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| RFD16N05L | INTERSIL |
获取价格 |
16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RFD16N05LSM | FAIRCHILD |
获取价格 |
16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
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| RFD16N05LSM | INTERSIL |
获取价格 |
16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
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| RFD16N05LSM_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| RFD16N05LSM9A | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 50V，16A，47mΩ |
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| RFD16N05LSM9A | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| RFD16N05LSM9A_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| RFD16N05SM | FAIRCHILD |
获取价格 |
16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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