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RB751SM-40T2R

更新时间： 2024-02-27 21:31:06

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	453K
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Schottky Barrier Diode

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RB751SM-40T2R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-79
包装说明：	SC-79, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.01	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.03 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	40 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

RB751SM-40T2R 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB751SM-40

lApplications

lDimensions (Unit : mm)

lLand size figure (Unit : mm)

High speed switching

0.8±0.05

0.12±0.05

0.8

lFeatures

1)Ultra small mold type. (EMD2)

2)High reliability

EMD2

lConstruction

0.3±0.05

Silicon epitaxial

lStructure

0.6±0.1

ROHM : EMD2

JEDEC :SOD-523

JEITA : SC-79

dot (year week factory)

lTaping specifications (Unit : mm)

lAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

°C

200

150

Storage temperature

Tstg

-40 to +150

lElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.37

0.5

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=1mA

Reverse current

V_R=30V

μA

V_R=1V , f=1MHz

Capacitance between terminals

www.rohm.com

2011.06 - Rev.A

1/3

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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RB751V40	NEXPERIA	Schottky barrier diodeProduction	获取价格
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RB751V-40	TYSEMI	Small surface mounting type.(EMD2,UMD2)	获取价格