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RB751V-40

更新时间： 2024-01-11 21:45:27

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描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

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RB751V-40 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW POWER LOSS
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.03 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

RB751V-40 数据手册

RB751V-40

SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

PINNING

Features

DESCRIPTION

Cathode

• Small surface mounting type

• Low reverse current and low forward voltage

• High reliability

Anode

Top View

Marking Code: "S8"

Applications

• High speed switching

Simplified outline SOD-323 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

V_RM

V_R

I_O

Mean Rectifying Current

Peak Forward Surge Current (60 Hz for 1 Cyc.)

Junction Temperature

I_FSM

T_j

200

125

Storage Temperature Range

T_s

- 40 to + 125

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Typ.

Max.

Unit

Forward Voltage

at I_F= 1 mA

V_F

I_R

0.37

0.5

Reverse Current

at V_R= 30 V

µA

Capacitance Between Terminals

at V_R= 1 V, f = 1 MHz

C_T

Note: ESD sensitive product handling required.

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 01/09/2006

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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