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RB751V-40RR

更新时间： 2024-11-18 09:37:51
品牌 Logo 应用领域
TSC 二极管光电二极管瞄准线
页数 文件大小 规格书
3页 137K
描述
200mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode

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RB751V-40RR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.66Is Samacsys：N
其他特性：LOW POWER LOSS配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-45 °C最大输出电流：0.03 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：40 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

RB751V-40RR 数据手册

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RB751V-40  
200mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode  
Small Signal Diode  
SOD-323  
Features  
—Low power loss, high current capability, low VF  
—Surface device type mounting  
—Moisture sensitivity level 1  
—Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate  
—Pb free version and RoHS compliant  
—Green compound (Halogen free) with suffix "G" on  
packing code and prefix "G" on date code  
Unit (mm)  
Unit (inch)  
Min Max  
0.047 0.055  
Dimensions  
Min  
1.20  
2.50  
0.25  
1.60  
0.80  
0.08  
Max  
Mechanical Data  
—Case : SOD-323 small outline plastic package  
A
B
C
D
E
F
1.40  
2.80 0.098 0.106  
0.35 0.010 0.014  
—Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable  
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
—High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s  
—Polarity : Indicated by cathode band  
—Weight :0.004 gram (approximately)  
—Marking Code : 5  
1.80  
0.90  
0.15  
0.063 0.071  
0.031 0.035  
0.003 0.006  
0.19 REF  
G
0.475 REF  
Pin Configuration  
Ordering Information  
Marking  
Package  
Part No.  
Packing  
Suggested PAD Layout  
5
5
SOD-323 RB751V-40 RR  
3K / 7" Reel  
0.63  
0.025  
SOD-323 RB751V-40 RRG 3K / 7" Reel  
0.83  
0.033  
1.60  
0.063  
2.86  
0.113  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Maximum Ratings  
Type Number  
Symbol  
PD  
Value  
200  
Units  
mW  
V
Power Dissipation  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Reverse Voltage  
VRRM  
VR  
40  
30  
V
Mean Forward Current @ TL=100°C (Lead Temperature)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (Note 1)  
Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 2)  
Junction and Storage Temperature Range  
IO  
30  
mA  
A
IFSM  
0.2  
RθJA  
TJ, TSTG  
500  
°C/W  
°C  
-45~125  
Notes:1. Test Condition : 8.3ms Single half Sine-Wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)  
Notes:2. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Version : B10  
123

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与RB751V-40RR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RB751V-40RRG TSC

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 		200mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode
RB751V-40S2 CYSTEKEC

获取价格

 		Small Signal Schottky diode
RB751V40T1 ONSEMI

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 		40 V SCHOTTKY BARRIER DIODE
RB751V-40-T1 WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
RB751V40T1/D ONSEMI

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 		Schottky Barrier Diode
RB751V40T1G ONSEMI

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 		Schottky Barrier Diode
RB751V-40-T1-LF WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC
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 		Schottky barrier diode
RB751V-40-TP MCC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
RB751V-40WS TSC

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