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RB751V-40WSRR

更新时间： 2024-02-19 04:26:34
品牌 Logo 应用领域
TSC 二极管光电二极管瞄准线
页数 文件大小 规格书
3页 150K
描述
200mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode

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RB751V-40WSRR 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.66
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.03 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

RB751V-40WSRR 数据手册

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RB751V-40WS  
200mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode  
Small Signal Diode  
SOD-323F  
B
C
A
Features  
—Low power loss, high current capability, low VF, low IR  
—Surface device type mounting  
—Moisture sensitivity level 1  
D
—Pb free version and RoHS compliant  
E
F
—Green compound (Halogen free) with suffix "G" on  
packing code and prefix "G" on date code  
Unit (mm)  
Unit (inch)  
Dimensions  
Min  
1.15  
2.30  
0.25  
1.60  
0.80  
0.05  
Max  
Min  
Max  
Mechanical Data  
—Case : Flat lead SOD-323F small outline plastic package  
A
B
C
D
E
F
1.40 0.045 0.055  
2.80 0.091 0.110  
0.40 0.010 0.016  
1.80 0.063 0.071  
1.10 0.031 0.043  
0.15 0.002 0.006  
—Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable  
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
—High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s  
—Polarity : Indicated by cathode band  
—Weight :4.6 ± 0.5 mg  
—Marking Code : S8  
Pin Configuration  
Ordering Information  
Marking  
S8  
Package  
Part No.  
Packing  
Suggested PAD Layout  
SOD-323F RB751V-40WS RR  
3K / 7" Reel  
S8  
SOD-323F RB751V-40WS RRG 3K / 7" Reel  
Dimensions  
Value (in mm)  
0.710  
X
X1  
Y
2.900  
0.403  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Maximum Ratings  
Type Number  
Symbol  
PD  
Value  
Units  
mW  
V
Power Dissipation  
200  
40  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Reverse Voltage (DC)  
VRRM  
VR  
30  
V
Average Forward Current  
IO  
30  
mA  
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (Note 1)  
Thermal Resistance (Junction to Ambient)  
Junction Temperature  
IFSM  
0.2  
RθJA  
TJ  
500  
125  
-40~125  
°C/W  
°C  
Storage Temperature Range  
TSTG  
°C  
Notes: 1. Test Condition : 8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)  
2. ESD sensitive product hankling required.  
3. The suggested land pattern dimensions have been provided for reference only, as actual pad layouts  
may vary despending on application.  
Version : B10  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RB751V-40WSRRG TSC

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 		200mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode
RB751V-40X PANJIT

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 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
RB751V-40X_16 PANJIT

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 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
RB751V-40X_R1_00001 PANJIT

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 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
RB751V-40X_R2_00001 PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
RB751V45 NEXPERIA

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 		General-purpose Schottky diodeProduction
RB751VM-40 ROHM

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 		Schottky Barrier Diode
RB751VM-40FH ROHM

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 		车载肖特基二极管与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。
RB751W-40 BL Galaxy Electrical

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 		0.03A,40V,Surface Mount Small Signal Schottky Diodes
RB-8 ETC

获取价格

 		8 CHANNEL RELAY CARD

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