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RB751V-40TE-17

更新时间: 2024-11-18 12:14:07
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罗姆 - ROHM 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 112K
描述
Schottky barrier diode

RB751V-40TE-17 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:7.42其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.37 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e1
最大非重复峰值正向电流:0.2 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最大输出电流:0.03 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V最大反向电流:0.5 µA
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

RB751V-40TE-17 数据手册

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RB751V-40  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB751V-40  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure  
Low current rectification  
1.25±0.1  
0.1±0.1  
ꢀꢀꢀ 0.05  
0.9MIN.  
zFeatures  
1) Ultra small mold type. (UMD2)  
2) Low V  
F
3) High reliability  
UMD2  
zConstruction  
zStructure  
0.7±0.2  
ꢀꢀꢀ 0.1  
0.3±0.05  
Silicon epitaxial planar  
ROHM : UMD2  
JEDEC : S0D-323  
JEITA : SC-90/A  
dot (year week factory)  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
φ1.55±0.05  
0.3±0.1  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
4.0±0.1  
φ1.05  
1.40±0.1  
1.0±0.1  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
40  
30  
V
Average rectified forward current  
Forward current surge peak 60Hz 1cyc  
30  
Io  
mA  
mA  
200  
IFSM  
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
125  
-40 to +125  
Tstg  
zElectrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.37  
0.5  
-
Unit  
Conditions  
Forward voltage  
VF  
IR  
-
-
-
-
-
V
IF=1mA  
VR=30V  
Reverse current  
µA  
pF  
Capacitance between terminal  
Ct  
2
VR=1V , f=1MHz  
Rev.B  
1/3  

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